电容的Q值和D值
品质因数Q (Quality Factor):表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。
或Q=无功功率/有功功率,或称特性阻抗与回路电阻之比。
可以看出来,有功功率越高,Q值就越低,而有功功率就是电容上的损耗,通常是转化成热量了,这也就理解了电容为什么会发热。由于电容不是理想的器件,也就是两个平行板之间的绝缘电阻不是无穷大引起的漏电流而产生的有功功率的损耗。其实损耗可以分两个部分,当交流电压的频率较低时,由于绝缘电阻一起的漏电流产生的损耗占主导;而当交流电压的频率较高时,由于电偶极子的运动速度加快而引起的漏电流占主导位置。
Q值越高,损耗越小,效率越高;Q 值越高,谐振器的频率稳定度就越高,因此,能够更准确。因数Q是表示线圈质量的一个重要参数。Q值的大小,表明电感线圈损耗的大小,其Q值越大,线圈的损耗越小;反之,其损耗越大。
品质因数Q的定义为:当线圈在某一频率的交流电压下工作时,线圈所呈现的感抗和线圈直流电阻的比值。它可以用公式表达如下:
公式
式中:W——工作角频率 L——线圈电感量 R——线圈总耗损电阻
根据使用场合的不同,对品质因数Q的要求也不同。对调谐回路中的电感线圈,Q值要求较高,因为Q值越高,回路的损耗就越小,回路的效率就越高;对鹅合线圈来说,Q值可以低一些;而对于低频或高频扼流圈,则可以不做要求。
实际上,Q值的提高往往受到一些因素的限制,如导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗、铁心和屏蔽引起的损耗以及高频工作时的集肤效应等。因此,线圈的Q值不可能做得很高,通常Q值为几十至一百,最高也只有四五百。
损耗正切角D: 损耗正切角 tanδ,就是电容的电损耗的比例,就是用来度量电偶极子运动的介质损耗的,厂家手册中的介质损耗脚的正切 tanδ,都是在交流状态下测量得到的。而且不同厂家测量还稍有不同。介质损耗角δ就是在交变电场的作用下,电介质内流过的电流向量与电压向量之间的夹角。可以这么说是因为,电压和电流的角度差就是因为电容是容性负载决定的。如果是纯阻性电路,电流和电压的夹角是为0的。
理想的电容是没有任何损耗的,是一个单纯的储能元件,当交流电压施加到电容器上的时候,流过的电流超前电压是90度,如下图所示。
实际的电容器是具有一定有功功率的损耗的(也就是阻抗),这使得施加在电容器两端的电压与流过其中的电流之间的相位差不在是理想的90度,而是小于90度,形成了一个偏离夹角δ,我们把这个δ称为电容的介质损耗角。
也就是说实际的电容可以理解为一个理想电容与一个绝缘电阻R的并联。因此绝缘电阻越小,其分量电流越大,因而δ也就越大。其计算公式如下。
Q和D的关系是互为倒数,因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数,Q值越高,其损耗越小,效率越高。换句话说就是D值越低越好。一般电解电容器因为内阻较大故D值较高,其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下。塑料薄膜电容器则D值较低,视其材质决定为0.001-0.01以下。 陶瓷电容器视其材质决定,Hi-K type 及S/C type为0.025以下。T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000。
知道了电容的品质因数,其他电路的品质因数,也可以理解为有功和无功的比值。在有些感性电路中,就是靠电容来做品质因数的补偿,就是为了提高有功功率了,对于实际电路中,有功功率才是我们想要的。
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新型芳纶纤维复合材料应用于毫米波天线罩制造
由于现代战争武器系统的发展,裸露在外的天线已经受到各类武器的严重威胁。尤其是战场上的各类爆炸破片和爆炸冲击波,都极易破坏天线,影响到天线的使用。目前,国内现有的天线罩只能起到保护天线免受风、雨、雪等自然环境影响的作用,并不具备防御能力,这使得装备该类天线罩的设备在战场上的生存能力差,导致维护保养任务繁重;因此,研制具有抗爆能力的天线罩,为设备筑起最后一道防线,具有非常重要的军事意义。
毫米波天线罩制造材料发展概况
现代雷达技术已由早期探测、火控、气象和导航功能,进一步发展出电子侦察、敌我识别、电子干扰和精确制导等功能。天线罩工作频率也由单频发展为宽频,直至多波段全频带。
毫米波一般是指电磁波谱中频率为30~300GHz这一部分,对应波长为1~10mm。毫米波天线罩与传统的分米波、厘米波天线罩相比,在结构、材料、性能及工艺技术等各方面都提出了更高的要求。尤其在透波性和强度等方面,随着毫米波技术的发展,传统的(如陶瓷、微晶玻璃等)天线罩材料,由于其固有的一些弱点,已满足不了毫米波天线罩在高透波特性和强度等方面的要求。
迄今为止,天线罩材料已有50年的历史,其发展历程为:纤维增强塑料→氧化铝陶瓷→微晶体玻璃→石英陶瓷→先进复合材料。最早开发研究的天线罩材料为陶瓷材料,这种材料具有耐高温,介电性能好及强度高的优点;但其质脆,耐热冲击性能差,并且成型工艺复杂。
目前,国内透波复合材料使用的增强纤维仍以E玻璃纤维和S玻璃纤维为主。这2种玻璃纤维是优良的绝缘材料,高低频下都具有良好的介电性,微波透过性良好,同时具有优良的耐腐蚀性和热性能;但其抗冲击能力较差的特征,造成天线罩在战场环境中极易被破坏,无法有效保护天线系统,系统生存能力低。
芳纶纤维为增强纤维的复合材料,其具有优异的力学性能、电绝缘性能、透波性能及优良的尺寸稳定性,特别是具有低的线胀系数(纤维轴向略呈负值),使其在雷达天线领域中有着较好的应用前景。
芳纶材料防护性研究
E玻璃纤维为常用的玻璃纤维,其强度高,延伸率大,成本较低,弹性模量较低。以往天线罩最通用的增强纤维以E玻璃纤维为主。芳纶纤维具有高强度、高模量、耐高温和耐化学腐蚀等优异性能。
芳纶Ⅲ纤维是国内近年来研制成功的一种三元共聚芳纶纤维,为国内近年来开发出来的性能最为优异的芳纶纤维,其力学性能优于芳纶纤维中最具代表性的Kevlar49。石英玻璃纤维为低介电常数玻璃纤维,其强度和模量较低,而且生产工艺性较差,生产成本高,因此应用较少。
各类纤维性能对照表见表1。由表1可知,3种纤维中芳纶Ⅲ的力学性能最好,同时密度最低。
抗侵彻贯穿性能
抗侵彻贯穿试验结果显示:1)石英玻璃纤维和E玻璃纤维复合材料板被贯穿后的喷射飞溅物明显多于芳纶纤维复合材料板;2)相对于石英和E玻璃纤维复合材料板,芳纶复合材料板的贯穿V50值有明显提高。具体试验数值见表2。
由表2可以看出,在各纤维品种中,芳纶纤维复合材料板的防护能力最强,大大优于E玻璃纤维板,石英复合材料板次之,E玻璃纤维最差。芳纶纤维复合材料板贯穿V50数值是石英板的1.6倍,是E玻璃纤维板的1.8倍。
石英玻璃纤维和E玻璃纤维复合材料板被贯穿后的喷射飞溅物明显多于芳纶纤维复合材料板,说明芳纶纤维抗冲击能力更强、比刚度和比强度更高,在受到高速弹丸冲击时不易发生碎裂现象。
可以预见,毫米波天线罩使用芳纶纤维复合材料后,其防护性必将大大增强。天线罩厚度越厚,其防护能力越强。但作为天线罩,其电性能(如透波率)要作为首要考虑满足的设计要素,随着天线罩厚度的增加,其电性能必将逐渐下降,直至不能满足使用要求。如何既完美满足实战的防护要求,又满足天线罩的电性能要求,是天线罩设计的难点之一,在天线罩设计中,应依据试验数据及实战情况综合考虑。
芳纶材料电性能
天线罩材料应满足介电性能、力学性能、三防寿命、工艺性能和质量等要求。材料的介电性能指标主要有介电常数和损耗角正切,其直接影响天线罩的电性能,是选择材料的主要依据。其中,损耗角正切越大,电磁波能量在穿透天线罩过程中转化为热量而损耗的能量就越多;介电常数越大,电磁波在空气与天线罩壁分界面上的反射就越大,这将增加镜象波瓣电平并降低传输效率。因此要求天线罩材料的损耗角正切低至接近于0,介电常数尽可能低,以达到最大传输和最小反射的目的。低介电常数的材料还能给天线罩带来宽频带响应。
芳纶纤维与各类纤维复合材料在测试频率为9.375GHz时的电性能数据见表3。由表3可以看出,芳纶纤维复合材料电性能明显优于E玻璃纤维复合材料。与石英玻璃纤维复合材料相比,芳纶纤维复合材料的介电常数低,损耗角正切值高。
电性能试验数据见表4。排除电性能试验的测试误差及加工精度方面的误差,由表4可以看出,各纤维品种中,芳纶纤维复合材料板的电性能指标与石英玻璃纤维相当,插入损耗值小,透波能力强;E玻璃纤维复合材料电性能指标最差。
芳纶材料生产性研究
毫米波的特点决定了毫米波天线罩的制造与普通天线罩不同,具有特点如下:1)天线罩结构壁薄,其材料结构强度和刚性要求高;2)罩体均匀性好,加工要求严格;3)天线罩热、电和结构强度等综合性能要求苛刻,材料选择、制作和罩体成型加工困难;4)天线罩壁厚容差小,罩体加工精度高;5)制造成本高。
针对上述特点,芳纶纤维的特点主要表现在以下方面:1)芳纶纤维介电常数低,能给天线罩带来宽频带响应,使得天线罩可以放宽罩壁厚度公差,从而降低制造成本;2)芳纶纤维力学性能指标更好,相同的壁厚,结构强度和刚度更好,透波能力更强;3)芳纶与树脂亲和性差,更易吸潮,长期使用影响电性能。
由于芳纶Ⅲ纤维为刚刚实现产业化的新型高性能纤维,目前制造加工成本高,价格较高,在大批量生产时应考虑成本增加问题。
综上可以看出,由于芳纶纤维复合材料具有多项优点,用芳纶纤维复合材料制作的天线罩防护性能有了质的飞跃,同时适合大规模生产。
(来源:管志宏.新型芳纶纤维复合材料用于制造毫米波天线罩的研究[J].新技术新工艺,2016(11):57-60.)
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西门子、三菱指令大全,集齐了才知道PLC编程这么容易
西门子PLC编程指令
1、位逻辑指令
1.1 -||- 常开接点(地址)1.2 -|/|- 常闭接点(地址)1.3 XOR 位异或1.4 -|NOT|- 信号流反向1.5 -( ) 输出线圈1.6 -(#)- 中间输出1.7 -(R) 线圈复位1.8 -(S) 线圈置位1.9 RS 复位置位(置位复位)触发器1.10 -(N)- RLO下降沿检测1.11 -(P)- PLO上升沿检测1.12 -(SAVE) 将RLO存入BR存储器1.13 MEG 地址下降沿检测1.14 POS 地址上升沿检测
2、比较指令
2.1 CMP?I 整数比较2.2 CMP?D 双整数比较2.3 CMP?R 实数比较
3、转换指令
3.1 BCD_IBCD码转换为整数3.2 I_BCD 整数转换为BCD码3.3 I_DINT 整数转换为双整数3.4 BCD_DIBCD码转换为双整数3.5 DI_BCD 双整数转换为BCD码3.6 DI_REAL 双整数转换为浮点数3.7 INV_I 整数的二进制反码3.8 INV_DI 双整数的二进制反码3.9 NEG_I 整数的二进制补码3.10 NEG_DI 双整数的二进制补码3.11 NEG_R 浮点数求反3.12 ROUND 舍入为双整数3.13 TRUNC 舍去小数取整为双整数3.14 CEIL 上取整3.15 FLOOR 下取整
4、计数器指令
4.1 S_CUD 加减计数4.2 S_CU 加计数器4.3 S_CD 减计数器4.4 -(SC) 计数器置初值4.5 -(CU) 加计数器线圈4.6 -(CD) 减计数器线圈
5、数据块指令
5.1 -(OPN) 打开数据块:DB或DI
6、逻辑控制指令6.1 -(JMP) 无条件跳转6.2 -(JMP) 条件跳转6.3 -(JMPN) 若非则跳转6.4 LABEL 标号
7、整数算术运算指令
7.1 ADD_I 整数加法7.2 SUB_I 整数减法7.3 MUL_I 整数乘法7.4 DIV_I 整数除法7.5 ADD_DI 双整数加法7.6 SUB_DI 双整数减法7.7 MUL_DI 双整数乘法7.8 DIV_DI 双整数除法 7.9 MOD_DI 回送余数的双整数
8、浮点算术运算指令
8.1 基础指令8.1.1 ADD_R 实数加法8.1.2 SUB_R 实数减法8.1.3 MUL_R 实数乘法8.1.4 DIV_R 实数除法8.1.5 ABS 浮点数绝对值运算
8.2 扩展指令
8.2.1 SQR 浮点数平方8.2.2 SQRT 浮点数平方根8.2.3 EXP 浮点数指数运算8.2.4 LN 浮点数自然对数运算8.2.5 SIN 浮点数正弦运算8.4.6 COS 浮点数余弦运算8.2.7 TAN 浮点数正切运算8.2.8 ASIN 浮点数反正弦运算8.2.9 ACOS 浮点数反余弦运算8.2.10ATAN 浮点数反正切运算
9、赋值指令
9.1 MOVE 赋值
10、程序控制指令
10.1 -(Call) 从线圈调用FC/SFC(无参数)10.2 CALL_FB 从方块调用FB10.3 CALL_FC 从方块调用FC10.4 CALL_SFB 从方块调用SFB10.5 CALL_SFC 从方块调用SFC10.6 -(MCR<) 主控继电器接通10.7 -(MCR>) 主控继电器断开10.8 -(MCRA) 主控继电器启动10.9 -(MCRD) 主控继电器停止10.10 -(RET) 返回
11、移位和循环指令
11.1 移位指令11.1.1 SHR_I 整数右移11.1.2 SHR_DI 双整数右移11.1.3 SHL_W 字左移11.1.4 SHR_W 字右移11.1.5 SHL_DW 双字左移11.1.6 SHR_DW 双字右移
11.2 循环指令
11.2.1 ROL_DW 双字左循环11.2.2 ROR_DW 双字右循环
12、状态位指令
12.1 OV -||- 溢出异常位12.2 OS -||- 存储溢出异常位12.3 UO -||- 无序异常位12.4 BR -||- 异常位二进制结果12.5 ==0-||- 结果位等于\”0\”12.6 <>0-||- 结果位不等于\”0\”12.7 >0-||- 结果位大于\”0\”12.8 <0-||- 结果位小于\”0\”12.9 >=0-||- 结果位大于等于\”0\”12.10 <=0-||- 结果位小于等于\”0\”
13、定时器指令
13.1 S_PULSE 脉冲S5定时器13.2 S_PEXT 扩展脉冲S5定时器13.3 S_ODT 接通延时S5定时器13.4 S_ODTS 保持型接通延时S5定时器13.5 S_OFFDT 断电延时S5定时器13.6 -(SP) 脉冲定时器线圈13.7 -(SE) 扩展脉冲定时器线圈13.8 -(SD) 接通延时定时器线圈13.9 -(SS) 保持型接通延时定时器线圈13.10 -(SF) 断开延时定时器线圈
14、字逻辑指令
14.1 WAND_W 字和字相\”与\”14.2 WOR_W 字和字相\”或\”14.3 WAND_DW 双字和双字相\”与\”14.4 WOR_DW 双字和双字相\”或\”14.5 WXOR_W 字和字相\”异或\”14.6 WXOR_DW 双字和双字相\”异或“
三菱 FX 系列PLC的基本逻辑指令
取指令与输出指令(LD/LDI/LDP/LDF/OUT)
(1)LD(取指令) 一个常开触点与左母线连接的指令,每一个以常开触点开始的逻辑行都用此指令。
(2)LDI(取反指令) 一个常闭触点与左母线连接指令,每一个以常闭触点开始的逻辑行都用此指令。
(3)LDP(取上升沿指令) 与左母线连接的常开触点的上升沿检测指令,仅在指定位元件的上升沿(由OFF→ON)时接通一个扫描周期。
(4)LDF(取下降沿指令) 与左母线连接的常闭触点的下降沿检测指令。
(5)OUT(输出指令) 对线圈进行驱动的指令,也称为输出指令。
取指令与输出指令的使用说明:
1)LD、LDI指令既可用于输入左母线相连的触点,也可与ANB、ORB指令配合实现块逻辑运算;
2)LDP、LDF指令仅在对应元件有效时维持一个扫描周期的接通。
3)LD、LDI、LDP、LDF指令的目标元件为X 、Y 、M 、T、C、S;4)OUT指令可以连续使用若干次(相当于线圈并联),对于定时器和计数器,在OUT指令之后应设置常数K或数据寄存器。
5)OUT指令目标元件为Y、M、T、C和S,但不能用于X。
触点串联指令(AND/ANI/ANDP/ANDF)
(1)AND(与指令) 一个常开触点串联连接指令,完成逻辑“与”运算。
(2)ANI(与反指令) 一个常闭触点串联连接指令,完成逻辑“与非”运算。
(3)ANDP 上升沿检测串联连接指令。
(4)ANDF 下降沿检测串联连接指令。
触点串联指令的使用的使用说明:
1)AND、ANI、ANDP、ANDF都只是单个触点串联连接的指令,串联次数没有限制,可反复使用。
2)AND、ANI、ANDP、ANDF的目标元元件为X、Y、M、T、C和S。
3)OUT M101指令之后通过T1的触点去驱动Y4称为连续输出。
触点并联指令(OR/ORI/ORP/ORF)
(1)OR(或指令) 用于单个常开触点的并联,实现逻辑“或”运算。
(2)ORI(或非指令) 用于单个常闭触点的并联,实现逻辑“或非”运算。
(3)ORP 上升沿检测并联连接指令。
(4)ORF 下降沿检测并联连接指令。
触点并联指令的使用说明:
1)OR、ORI、ORP、ORF指令都是指单个触点的并联,并联触点的左端接到LD、LDI、LDP或LPF处,右端与前一条指令对应触点的右端相连。触点并联指令连续使用的次数不限;
2)OR、ORI、ORP、ORF指令的目标元件为X、Y、M、T、C、S。
块操作指令(ORB / ANB)
(1)ORB(块或指令) 用于两个或两个以上的触点串联连接的电路之间的并联。
ORB指令的使用说明:
1)几个串联电路块并联连接时,每个串联电路块开始时应该用LD或LDI指令;
2)有多个电路块并联回路,如对每个电路块使用ORB指令,则并联的电路块数量没有限制;
3)ORB指令也可以连续使用,但这种程序写法不推荐使用,LD或LDI指令的使用次数不得超过8次,也就是ORB只能连续使用8次以下。
(2)ANB(块与指令) 用于两个或两个以上触点并联连接的电路之间的串联。
ANB指令的使用说明:
1)并联电路块串联连接时,并联电路块的开始均用LD或LDI指令;
2)多个并联回路块连接按顺序和前面的回路串联时,ANB指令的使用次数没有限制。也可连续使用ANB,但与ORB一样,使用次数在8次以下。
置位与复位指令(SET/RST)
(1)SET(置位指令) 它的作用是使被操作的目标元件置位并保持。
(2)RST(复位指令) 使被操作的目标元件复位并保持清零状态。SET、RST指令的使用,当X0常开接通时,Y0变为ON状态并一直保持该状态,即使X0断开Y0的ON状态仍维持不变;只有当X1的常开闭合时,Y0才变为OFF状态并保持,即使X1常开断开,Y0也仍为OFF状态。
SET 、RST指令的使用说明:
1)SET指令的目标元件为Y、M、S,RST指令的目标元件为Y、M、S、T、C、D、V 、Z。RST指令常被用来对D、Z、V的内容清零,还用来复位积算定时器和计数器。
2)对于同一目标元件,SET、RST可多次使用,顺序也可随意,但最后执行者有效。
微分指令(PLS/PLF)
(1)PLS(上升沿微分指令) 在输入信号上升沿产生一个扫描周期的脉冲输出;
(2)PLF(下降沿微分指令) 在输入信号下降沿产生一个扫描周期的脉冲输出。
利用微分指令检测到信号的边沿,通过置位和复位命令控制Y0的状态。
PLS、PLF指令的使用说明:
1)PLS、PLF指令的目标元件为Y和M;
2)使用PLS时,仅在驱动输入为ON后的一个扫描周期内目标元件ON,M0仅在X0的常开触点由断到通时的一个扫描周期内为ON;使用PLF指令时只是利用输入信号的下降沿驱动,其它与PLS相同。
主控指令(MC/MCR)
1)MC(主控指令) 用于公共串联触点的连接。执行MC后,左母线移到MC触点的后面。
2)MCR(主控复位指令) 它是MC指令的复位指令,即利用MCR指令恢复原左母线的位置。
在编程时常会出现这样的情况,多个线圈同时受一个或一组触点控制,如果在每个线圈的控制电路中都串入同样的触点,将占用很多存储单元,使用主控指令就可以解决这一问题。
MC、MCR指令利用MC N0 M100实现左母线右移,使Y0、Y1都在X0的控制之下,其中N0表示嵌套等级,在无嵌套结构中N0的使用次数无限制;利用MCR N0恢复到原左母线状态。如果X0断开则会跳过MC、MCR之间的指令向下执行。
MC、MCR指令的使用说明:
1)MC、MCR指令的目标元件为Y和M,但不能用特殊辅助继电器。MC占3个程序步,MCR占2个程序步;
2)主控触点在梯形图中与一般触点垂直。主控触点是与左母线相连的常开触点,是控制一组电路的总开关。与主控触点相连的触点必须用LD或LDI指令。
3)MC指令的输入触点断开时,在MC和MCR之内的积算定时器、计数器、用复位/置位指令驱动的元件保持其之前的状态不变。非积算定时器和计数器,用OUT指令驱动的元件将复位,22中当X0断开,Y0和Y1即变为OFF。
4)在一个MC指令区内若再使用MC指令称为嵌套。嵌套级数最多为8级,编号按N0→N1→N2→N3→N4→N5→N6→N7顺序增大,每级的返回用对应的MCR指令,从编号大的嵌套级开始复位。
堆栈指令(MPS/MRD/MPP)
堆栈指令是FX系列中新增的基本指令,用于多种输出电路,为编程带来便利。在FX系列PLC中有11个存储单元,它们专门用来存储程序运算的中间结果,被称为栈存储器。
(1)MPS(进栈指令) 将运算结果送入栈存储器的第一段,同时将先前送入的数据依次移到栈的下一段。
(2)MRD(读栈指令) 将栈存储器的第一段数据(最后进栈的数据)读出且该数据继续保存在栈存储器的第一段,栈内的数据不发生移动。
(3)MPP(出栈指令) 将栈存储器的第一段数据(最后进栈的数据)读出且该数据从栈中消失,同时将栈中其它数据依次上移。
堆栈指令的使用说明:
1)堆栈指令没有目标元件;
2)MPS和MPP必须配对使用;
3)由于栈存储单元只有11个,所以栈的层次最多11层。
逻辑反、空操作与结束指令(INV/NOP/END)
1)INV(反指令) 执行该指令后将原来的运算结果取反。反指令的使用如图10所示,如果X0断开,则Y0为ON,否则Y0为OFF。使用时应注意INV不能象指令表的LD、LDI、LDP、LDF那样与母线连接,也不能象指令表中的OR、ORI、ORP、ORF指令那样单独使用。
2)NOP(空操作指令) 不执行操作,但占一个程序步。执行NOP时并不做任何事,有时可用NOP指令短接某些触点或用NOP指令将不要的指令覆盖。当PLC执行了清除用户存储器操作后,用户存储器的内容全部变为空操作指令。
3)END(结束指令) 表示程序结束。若程序的最后不写END指令,则PLC不管实际用户程序多长,都从用户程序存储器的第一步执行到最后一步;若有END指令,当扫描到END时,则结束执行程序,这样可以缩短扫描周期。在程序调试时,可在程序中插入若干END指令,将程序划分若干段,在确定前面程序段无误后,依次删除END指令,直至调试结束。
FX系列PLC的步进指令
1.步进指令(STL/RET)
步进指令是专为顺序控制而设计的指令。在工业控制领域许多的控制过程都可用顺序控制的方式来实现,使用步进指令实现顺序控制既方便实现又便于阅读修改。
FX2N中有两条步进指令:STL(步进触点指令)和RET(步进返回指令)。
STL和RET指令只有与状态器S配合才能具有步进功能。如STL S200表示状态常开触点,称为STL触点,它在梯形图中的符号为-|| ||- ,它没有常闭触点。我们用每个状态器S记录一个工步,例STL S200有效(为ON),则进入S200表示的一步(类似于本步的总开关),开始执行本阶段该做的工作,并判断进入下一步的条件是否满足。一旦结束本步信号为ON,则关断S200进入下一步,如S201步。RET指令是用来复位STL指令的。执行RET后将重回母线,退出步进状态。
2.状态转移图
一个顺序控制过程可分为若干个阶段,也称为步或状态,每个状态都有不同的动作。当相邻两状态之间的转换条件得到满足时,就将实现转换,即由上一个状态转换到下一个状态执行。我们常用状态转移图(功能表图)描述这种顺序控制过程。用状态器S记录每个状态,X为转换条件。如当X1为ON时,则系统由S20状态转为S21状态。
状态转移图中的每一步包含三个内容:本步驱动的内容,转移条件及指令的转换目标。
步驱动Y0,当X1有效为ON时,则系统由S20状态转为S21状态,X1即为转换条件,转换的目标为S21步。
3.步进指令的使用说明
1)STL触点是与左侧母线相连的常开触点,某STL触点接通,则对应的状态为活动步;
2)与STL触点相连的触点应用LD或LDI指令,只有执行完RET后才返回左侧母线;
3)STL触点可直接驱动或通过别的触点驱动Y、M、S、T等元件的线圈;
4)由于PLC只执行活动步对应的电路块,所以使用STL指令时允许双线圈输出(顺控程序在不同的步可多次驱动同一线圈);
5)STL触点驱动的电路块中不能使用MC和MCR指令,但可以用CJ指令;
6)在中断程序和子程序内,不能使用STL指令。
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